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SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Numero di parte
SQ2310ES-T1_GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-236
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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