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SIZ918DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Numero di parte
SIZ918DT-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerWDFN
Potenza: max
29W, 100W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
16A, 28A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 15V
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