L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Numero di parte
SIS435DNT-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Dissipazione di potenza (massima)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
180nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 12835 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 Componenti elettronici
SIS435DNT-T1-GE3 Vendita
SIS435DNT-T1-GE3 fornitore
SIS435DNT-T1-GE3 Distributore
SIS435DNT-T1-GE3 Tabella dati
SIS435DNT-T1-GE3 Fotografie
SIS435DNT-T1-GE3 Prezzo
SIS435DNT-T1-GE3 Offerta
SIS435DNT-T1-GE3 Prezzo più basso
SIS435DNT-T1-GE3 Ricerca
SIS435DNT-T1-GE3 Acquisto
SIS435DNT-T1-GE3 Patata fritta