Acquista Vishay Siliconix SIRA52ADP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

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Schede tecniche

SIRA52ADP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Numero di parte

SIRA52ADP-T1-RE3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stato della parte

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

PowerPAK® SO-8

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerPAK® SO-8

Dissipazione di potenza (massima)

4.8W (Ta), 48W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

41.6A (Ta), 131A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

1.63 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

100nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 20V

Vg (massimo)

+20V, -16V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

4.5V, 10V

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