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SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Numero di parte
SIR470DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5660pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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