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SIE816DF-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Numero di parte

SIE816DF-T1-E3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

10-PolarPAK® (L)

Pacchetto dispositivo del fornitore

10-PolarPAK® (L)

Dissipazione di potenza (massima)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

60A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

7.4 mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

77nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 30V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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