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SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V
Numero di parte
SIDR668DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8DC
Dissipazione di potenza (massima)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
108nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 50V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7.5V, 10V
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