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SIB411DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Numero di parte
SIB411DK-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SC-75-6L
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SC-75-6L Single
Dissipazione di potenza (massima)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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