L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SIA850DJ-T1-GE3

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Numero di parte
SIA850DJ-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
LITTLE FOOT®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dissipazione di potenza (massima)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
190V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
950mA (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
90pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±16V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 37443 PCS
Informazioni sui contatti
Parole chiave di SIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 Componenti elettronici
SIA850DJ-T1-GE3 Vendita
SIA850DJ-T1-GE3 fornitore
SIA850DJ-T1-GE3 Distributore
SIA850DJ-T1-GE3 Tabella dati
SIA850DJ-T1-GE3 Fotografie
SIA850DJ-T1-GE3 Prezzo
SIA850DJ-T1-GE3 Offerta
SIA850DJ-T1-GE3 Prezzo più basso
SIA850DJ-T1-GE3 Ricerca
SIA850DJ-T1-GE3 Acquisto
SIA850DJ-T1-GE3 Patata fritta