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SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Numero di parte
SIA850DJ-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
LITTLE FOOT®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dissipazione di potenza (massima)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
190V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
950mA (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
90pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±16V
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