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SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Numero di parte
SIA519EDJ-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Potenza: max
7.8W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.5A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
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