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SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Numero di parte
SIA426DJ-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SC-70-6
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SC-70-6 Single
Dissipazione di potenza (massima)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
23.6 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 10V
Vg (massimo)
±12V
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