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SI8429DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Numero di parte
SI8429DB-T1-E1
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-XFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-Microfoot
Dissipazione di potenza (massima)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11.7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
26nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 4V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.2V, 4.5V
Vg (massimo)
±5V
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