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SI8417DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
Numero di parte
SI8417DB-T2-E1
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-MICRO FOOT™
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Dissipazione di potenza (massima)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
14.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
57nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 6V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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