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SI8410DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Numero di parte
SI8410DB-T2-E1
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-UFBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-Micro Foot (1x1)
Dissipazione di potenza (massima)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
16nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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