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SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Numero di parte
SI8409DB-T1-E1
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-XFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-Microfoot
Dissipazione di potenza (massima)
1.47W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.6A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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