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SI7983DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Numero di parte
SI7983DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Potenza: max
1.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7.7A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 600µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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