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SI6562DQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

Numero di parte

SI6562DQ-T1-GE3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Cut Tape (CT)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Potenza: max

Pacchetto dispositivo del fornitore

8-TSSOP

Tipo FET

N and P-Channel

Funzionalità FET

Logic Level Gate

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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