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SI5920DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Numero di parte
SI5920DC-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Potenza: max
3.12W
Pacchetto dispositivo del fornitore
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 4V
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