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SI5519DU-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Numero di parte
SI5519DU-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Digi-Reel®
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Potenza: max
10.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® ChipFet Dual
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 10V
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