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SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Numero di parte
SI5511DC-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Potenza: max
3.1W, 2.6W
Pacchetto dispositivo del fornitore
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A, 3.6A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
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