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SI5509DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Numero di parte
SI5509DC-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Potenza: max
4.5W
Pacchetto dispositivo del fornitore
1206-8 ChipFET™
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6.1A, 4.8A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 10V
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