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SI5471DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Numero di parte
SI5471DC-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo del fornitore
1206-8 ChipFET™
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2945pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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