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SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Numero di parte
SI5456DU-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di SI5456DU-T1-GE3
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