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SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Numero di parte
SI4967DY-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Parole chiave di SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3 Componenti elettronici
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