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SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Numero di parte
SI4936CDY-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
2.3W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5.8A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 15V
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