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SI4446DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
Numero di parte
SI4446DY-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
1.1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±12V
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