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SI3993DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Numero di parte
SI3993DV-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potenza: max
830mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-TSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.8A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
133 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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