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SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Numero di parte
SI3460BDV-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-TSOP
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
24nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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