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SI1965DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Numero di parte
SI1965DH-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potenza: max
1.25W
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-70-6 (SOT-363)
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.3A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.2nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 6V
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