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SI1433DH-T1-E3

SI1433DH-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Numero di parte
SI1433DH-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-70-6 (SOT-363)
Dissipazione di potenza (massima)
950mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di SI1433DH-T1-E3
SI1433DH-T1-E3 Componenti elettronici
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