Acquista Vishay Siliconix SI1307EDL-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

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Schede tecniche

SI1307EDL-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Numero di parte

SI1307EDL-T1-E3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo del fornitore

SC-70-3

Dissipazione di potenza (massima)

290mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

850mA (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

1.8V, 4.5V

Vg (massimo)

±8V

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