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IRLL110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Numero di parte
IRLL110TRPBF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4V, 5V
Vg (massimo)
±10V
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