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IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
Numero di parte
IRFD9110PBF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipazione di potenza (massima)
1.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
700mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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