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IRFD420PBF
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
Numero di parte
IRFD420PBF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
370mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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