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IRFD113
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Numero di parte
IRFD113
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-HVMDIP
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
800mA (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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