Vishay Siliconix
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2N7002-E3
Schede tecniche

2N7002-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Numero di parte
2N7002-E3
Produttore/Marchio
Vishay Siliconix
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-236
Dissipazione di potenza (massima)
200mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
115mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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