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TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Numero di parte
TPH6R004PL,LQ
Serie
U-MOSIX-H
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Dissipazione di potenza (massima)
1.8W (Ta), 81W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
87A (Ta), 49A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 200µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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