Toshiba Semiconductor and Storage
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TK4A65DA(STA4,Q,M)
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TK4A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
Numero di parte
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Produttore/Marchio
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
π-MOSVII
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220SIS
Dissipazione di potenza (massima)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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