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TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Numero di parte
TK31V60X,LQ
Serie
DTMOSIV-H
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
4-VSFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
4-DFN-EP (8x8)
Dissipazione di potenza (massima)
240W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Super Junction
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di TK31V60X,LQ
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