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TK16C60W,S1VQ

TK16C60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
Numero di parte
TK16C60W,S1VQ
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
I2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
130W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
15.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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