Toshiba Semiconductor and Storage
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TK14G65W,RQ
Schede tecniche

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Numero di parte
TK14G65W,RQ
Produttore/Marchio
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK
Dissipazione di potenza (massima)
130W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
13.7A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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