Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12E80W,S1X
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TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Numero di parte
TK12E80W,S1X
Produttore/Marchio
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220
Dissipazione di potenza (massima)
165W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 570µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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