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TK11A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Numero di parte
TK11A65W,S5X
Produttore/Marchio
Serie
DTMOSIV
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220SIS
Dissipazione di potenza (massima)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11.1A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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