Acquista Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

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Schede tecniche

SSM6K202FE,LF

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Numero di parte

SSM6K202FE,LF

Produttore/Marchio

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo del fornitore

ES6 (1.6x1.6)

Dissipazione di potenza (massima)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

2.3A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.5A, 4V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

1.8V, 4V

Vg (massimo)

±12V

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