Acquista Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE(TE85L,F) MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

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Schede tecniche

SSM6J53FE(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Numero di parte

SSM6J53FE(TE85L,F)

Produttore/Marchio

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo del fornitore

ES6 (1.6x1.6)

Dissipazione di potenza (massima)

500mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

1.8A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

136 mOhm @ 1A, 2.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

10.6nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

568pF @ 10V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

1.5V, 2.5V

Vg (massimo)

±8V

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