Acquista Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

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Schede tecniche

SSM6J503NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Numero di parte

SSM6J503NU,LF

Produttore/Marchio

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Stato della parte

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo del fornitore

6-UDFNB (2x2)

Dissipazione di potenza (massima)

1W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

6A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

32.4 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

12.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Vg (massimo)

±8V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

1.5V, 4.5V

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