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CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Numero di parte
CSD86330Q3D
Produttore/Marchio
Serie
NexFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerLDFN
Potenza: max
6W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-LSON (3.3x3.3)
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 12.5V
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