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CSD22206W
8V P-CHANNEL FEMTOFET
Numero di parte
CSD22206W
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
9-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
9-DSBGA (1.5x1.5)
Dissipazione di potenza (massima)
1.7W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
14.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2275pF @ 4V
Vg (massimo)
-6V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
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