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CSD18509Q5BT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Numero di parte
CSD18509Q5BT
Produttore/Marchio
Serie
NexFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-VSON-CLIP (5x6)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
195nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
13900pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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CSD18509Q5BT Componenti elettronici
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