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CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Numero di parte
CSD13306W
Produttore/Marchio
Serie
NexFET™
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UFBGA, DSBGA
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-DSBGA (1x1.5)
Dissipazione di potenza (massima)
1.9W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 6V
Vg (massimo)
±10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
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